به گزارش یونایتد نیوز تایوان ، لی پیئینگ ، مدیر کل شعبه جنوب آسیا ، در تاریخ 10 اعلام کرد که تحقیقات مستقل و توسعه فناوری DRAM 10 نانومتری را به اتمام رسانده است و از نیمه دوم امسال تولید آزمایشی را آغاز خواهد کرد.
گزارش شده است که تراشه های حافظه جهانی DRAM عمدتاً توسط سامسونگ ، SK Hynix و Micron کنترل می شوند. سهم آنها بیش از 95٪ است. دلیل اصلی این است که این سه اختراع فن آوری آستانه بسیار بالایی را تشکیل می دهند. از بین رفتن سایر شرکتها دشوار است. .
شعبه جنوب آسیا هم اکنون بر فناوری 20 نانومتری متمرکز است و منبع فناوری Micron است. با ورود فرایند 10 نانومتری نانیا به فناوری مستقل ، به این معنی است که دیگر در آینده به مجوز میکرون اعتماد نخواهد کرد و هر محصولی توسط خود شرکت تولید می شود. هزینه ها بسیار کاهش می یابد.
لی پی یینگ گفت که نانایک با موفقیت یک فناوری جدید تولید حافظه را برای DRAM 10 نانومتری توسعه داده است ، که باعث کاهش کوچک پایدار محصولات DRAM برای حداقل سه دوره شده است. اولین نسل از محصولات سرب 10 نانومتری ، 8 گیگابایت DDR4 ، LPDDR4 و DDR5 ، بر روی فناوری فرآیندهای مستقل و سیستم عامل های فناوری محصول ساخته می شوند و پس از نیمه دوم سال 2020 وارد آزمایش آزمایش محصول می شوند.
نسل دوم فن آوری فرآیند 10 نانومتری تحقیقات و توسعه را آغاز کرده است و پیش بینی می شود تولید آزمایشی تا سال 2022 معرفی شود. نسل سوم فناوری فرآیند 10 نانومتری در آینده توسعه خواهد یافت. وی تصریح کرد: نانیا پس از ورود به فرآیند 10 نانومتری ، بر فناوری خود توسعه یافته ، کاهش هزینه های صدور مجوز و بهبود بهره وری بسیار متمرکز خواهد شد.
در راستای توسعه فرآیند 10 نانومتری ، هزینه سرمایه نانیا در سال گذشته بالاتر از 5.5 میلیارد یوان خواهد بود. لی پیئینگ گفت: علاوه بر بهبود هزینه ها ، پیشرفت مستقل موفقیت آمیز نانیا از فناوری فرآیند 10 نانومتری به درک فرصت های توسعه و پیشرفت فناوری به سمت محصولات جدید با چگالی بالا کمک خواهد کرد.